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DIODO TEORICO
Diodo utile per gli esercizi, senza effetto breakdown. La relazione corrente-tensione corrisponde in buona approssimazione alla nota caratteristica esponenziale studiata al corso di Elettronica 1. Il modello non tiene conto degli effetti capacitivi parassiti.

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.model Dteor D(Rs = 0 N=0.92 IKF=0 Ibvl=0 ibv=0)

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DIODO ZENER D1N750
Diodo commerciale Zener con tensione nominale di Zener pari a 4.7V. Potenza massima pari a 500mW.
Datasheet - (pdf)

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.model D1N750 D(Is=880.5E-18 Rs=.25 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=175p M=.5516
+ Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989
+ Ibvl=1.9556m Nbvl=14.976 Tbv1=-21.277u)

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DIODO D1N4002
Diodo commerciale rettificatore. Max corrente in polarizzazione diretta pari a 1A, max corrente di spunto pari a 30A. Max tensione inversa 100V.
Datasheet - (pdf)

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.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)

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DIODO D1N4148
Diodo commerciale per applicazioni generiche di segnale, rapido. Max corrente in polarizzazione diretta pari a 200mA. Max tensione inversa 100V.
Datasheet - (pdf)

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.model D1N4148 D(Is=2.682n N=1.836 Rs=.5664 Ikf=44.17m Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4p
+ M=.3333 Vj=.5 Fc=.5 Isr=1.565n Nr=2 Bv=100 Ibv=100u Tt=11.54n BV=5V)

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NMOS teorico
Modello teorico semplificato del transistor, con possibilità di specifica diretta del fattore di trasconduttanza (KP = unCox) e del parametro di modulazione della lunghezza di canale (LAMBDA), del potenziale di superficie (PHI). Il modello non tiene conto degli effetti capacitivi parassiti.

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.model MteorN NMOS VTO=1 KP=100e-6 LAMBDA=0.01 GAMMA=0.01 W=1u L=1u PHI = 0 LEVEL=1

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PMOS teorico
Modello teorico semplificato del transistor, con possibilità di specifica diretta del fattore di trasconduttanza (KP = upCox), del parametro di modulazione della lunghezza di canale (LAMBDA), del potenziale di superficie (PHI). Il modello non tiene conto degli effetti capacitivi parassiti.

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.model MteorP PMOS VTO=-1 KP=100e-6 LAMBDA=0.01 GAMMA=0.01 W=1u L=1u PHI = 0 LEVEL=1

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NMOS - tecnologia 0.8 um
Modello che si riferisce ad una tecnologia CMOS da 0.8 um, le cui dimensioni minime sono W=2 um e L=0.8 um.

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.model Mbreakn NMOS level=2
+ cgso =0.350e-09 cgdo =0.350e-09 cgbo =0.150e-09
+ cj =0.290e-03 mj =0.460e+00 cjsw =0.230e-09 mjsw =0.330e+00
+ js =0.010e-03 pb =0.860e+00 rsh =25.00e+00
+ tox =15.50e-09 xj =0.080e-06 ld =0.000e-06 wd =0.580e-06
+ vto =0.844e+00 nfs =0.835e+12 nsub =63.80e+15 neff =10.00e+00
+ uo =462.0e+00 ucrit=37.70e+04 uexp =0.324e+00 utra =0.000e+00
+ vmax =61.90e+03 delta=0.237e+00 kf =0.276e-25 af =1.530e+00

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PMOS - tecnologia 0.8 um
Modello che si riferisce ad una tecnologia CMOS da 0.8 um, le cui dimensioni minime sono W=2 um e L=0.8 um.

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.model Mbreakp PMOS level=2
+ cgso =0.350e-09 cgdo =0.350e-09 cgbo =0.150e-09
+ cj =0.490e-03 mj =0.470e+00 cjsw =0.210e-09 mjsw =0.290e+00
+ js =0.040e-03 pb =0.800e+00 rsh =47.00e+00
+ tox =15.50e-09 xj =0.087e-06 ld =-.076e-06 wd =0.331e-06
+ vto =-.734e+00 nfs =0.483e+12 nsub =32.80e+15 neff =2.570e+00
+ uo =160.0e+00 ucrit=30.80e+04 uexp =0.336e+00 utra =0.000e+00
+ vmax =61.30e+03 delta=0.949e+00 kf =0.466e-26 af =1.610e+00